Renesas射頻衰減器
發(fā)布時間:2022-05-09 16:53:13 瀏覽:947
Renesas單片硅射頻衰減器可提供各種各樣數(shù)字或模擬控制。Renesas所有的射頻衰減器具備高帶寬、低插入損耗、高線性、高衰減精確度、低偏差等特性。射頻衰減器的應(yīng)用包括無線網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施(基站和寬帶基礎(chǔ)設(shè)施)(CATV))、微波無線電、通訊衛(wèi)星和數(shù)據(jù)終端、通用型通信設(shè)備、測試和測量設(shè)備。
Renesas率先推出出選用Glitch-Free?數(shù)字步進衰減器(DSA),優(yōu)化軟件界面、提高安全可靠性、避免毀壞功率放大器等昂貴的子部件,限制數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器輸入超過額定范圍。Renesas的創(chuàng)新型Glitch-Free?技術(shù)可以清除發(fā)送和/或接收路徑中的衰減設(shè)置過沖(毛刺),可以使最高有效位(MSB)過渡期間瞬時毛刺減少了95%。
另外,Renesas電壓可變衰減器(VVA)為用戶提供模擬控制,以滿足需要更準確的衰減應(yīng)用程序。這些與類似的競爭解決方案相比較VVA有近半的低插入損耗和高IP3性能指標(biāo),在電壓控制范圍內(nèi)線性衰減(dB)。硅基RF半導(dǎo)體技術(shù),Renesas的衰減器為源于GaA原有的半導(dǎo)體技術(shù)提供了強有力的替代方案。硅技術(shù)提供了更強的靜電放電(ESD)保護,更好的溫度敏感度等級(MSL)、硅技術(shù)長期性驗證的更理想的熱性能指標(biāo)、更低的電流消耗和安全可靠性。
射頻衰減器的目的是根據(jù)系統(tǒng)的需要調(diào)節(jié)無線電發(fā)送器或接收器信號鏈中的信號范圍。通常采用數(shù)字衰減器(DSA)或模擬衰減器(VVA)調(diào)節(jié)衰減值。針對模擬衰減器或數(shù)字衰減器的選擇,需要根據(jù)應(yīng)用要求實現(xiàn)權(quán)衡。Renesas專業(yè)工程師可以幫助用戶選擇最適宜的設(shè)備。
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,優(yōu)勢代理分銷Renesas產(chǎn)品線,部分系列常備現(xiàn)貨。
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Product ID | Frequency Range (MHz) | Supply Voltage (V) | Lead Count (#) | Input IP3 (dBm) | Gain (dB) | Gain Resolution (dB) | Output Impedance |
F1912 | 1 - 4000 | 3 - 5.25 | 20 | 63 | -1.4 | 0.5 | 50 |
F1950 | 150 - 4000 | 3 - 5.25 | 24 | 65 | -1.3 | 0.25 | 50 |
F1951 | 100 - 4000 | 3 - 5.25 | 24 | 68 | -1.2 | 0.5 | 50 |
F1953 | 400 - 4000 | 2.7 - 3.3 | 20 | 63 | -1.4 | 0.5 | 50 |
F1956 | 1 - 6000 | 3 - 5.25 | 32 | 64 | -1.3 | 0.25 | 50 |
F1958 | 1 - 6000 | 3 - 5.5 | 24 | 63 | -1.3 | 0.25 | 50 |
F1975 | 5 - 3000 | 3 - 5.25 | 20 | 64 | -1.2 | 0.5 | 75 |
F1977 | 5 - 3000 | 3 - 5.25 | 32 | 64 | -1.4 | 0.25 | 75 |
F1978 | 5 - 3000 | 3 - 5.25 | 20 | 64 | -1.2 | 0.5 | 75 |
F2250 | 50 - 6000 | 3.15 - 5.25 | 16 | 65 | -1.4 | 50 | |
F2251 | 50 - 6000 | 3.15 - 5.25 | 16 | 67 | -1.4 | 50 | |
F2255 | 1 - 3000 | 3.15 - 5.25 | 16 | 60 | -1.1 | 50 | |
F2258 | 50 - 6000 | 3.15 - 5.25 | 16 | 65 | -1.4 | 50 | |
F2270 | 5 - 3000 | 3.15 - 5.25 | 16 | 62 | -1.1 | 75 |
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