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  Solitron Devices 2N3902和2N5157 NPN型功率晶體管 2025-04-01 09:12:23

  2N3902和2N5157是Solitron Devices生產(chǎn)的NPN功率晶體管，采用TO-3封裝，符合軍用標準MIL-PRF-19500/371。2N3902的VCEO為400V/3.5A，2N5157達500V/3.5A，均具備5W（25°C）至100W（75°C）的功耗能力，特性包括低導通電阻、快速開關(guān)和高截止電壓。適用于高壓逆變器、音頻放大器、電機驅(qū)動及工業(yè)高可靠性場景，衍生型號含JAN、JANTX、JANTXV等軍用級版本。

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  vishay CBB3100BLGKWS薄膜二進制MOS電容芯片 2025-03-18 09:14:46

  vishay CBB 和 CBC 是薄膜二進制 MOS 電容芯片，每片包含五個以二進制增量排列的不同容量電容，提供多種容量選擇。這些芯片采用 Vishay Electro-Films 的先進薄膜技術(shù)制造，經(jīng)過 100% 電氣測試和目視檢查，符合 MIL-STD-883 標準。CBB 和 CBC 分別具有 0402 和 0404 封裝，容量范圍分別為最高 31 pF 和 93 pF，采用二氧化硅介質(zhì)材料和半導體硅基底，背面鍍金，具有低介質(zhì)損耗。它們設(shè)計用于通過線鍵合技術(shù)調(diào)整混合電路中的電容。