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Microchip 1N6461-1N6468系列：500W軍用級瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)

發(fā)布時間：2025-02-27 09:29:14     瀏覽：225

　　Microchip 的 1N6461-1N6468 系列是 500 W 無空腔密封單向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)，專為高可靠性應(yīng)用設(shè)計，符合 MIL-PRF-19500/551 軍用標(biāo)準(zhǔn)。

Microchip 1N6461-1N6468系列：500W軍用級瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)

　　

 TypeMinimum
Breakdown
Voltage1
V(Bey at I(aR)		Breakdown
   Current
    l(BR)		Rated
Standoff
Voltage
VwM		Maximum
Standby
Current
lp at VRwM		Maximum
Clamping
Voltage1
Vcat lpp		Maximum
Peak Pulse
Current1
lpp		Maximum
Temp.Coef.
    of
  V(BR)
  Cv(BR)

at 8/20
μs		at 10/1000
   μs

VmAV(pk)μAV(pk)A(pk)  A(pk)%/℃
1N64615.6 25 5 3000 9.0 315 56 0.03,+0.045
1N64626.5 20 6 2500 11.0 258 46 +0.060 
1N646313.6 5 12 500 22.6 125 22 +0.085 
1N646416.4 5 15 500 26.5 107 19 +0.085 
1N646527.0 2 24 50 41.4 69 12 +0.096 
1N646633.0 1 30.5 3 47.5 63 11 +0.098 
1N646743.7 1 40.3 2 63.5 45 8 +0.101 
1N646854.0 1 51.6 2 78.5 35 6 +0.103 

      產(chǎn)品特點

　　高可靠性：

　　無空腔密封硬玻璃外殼，內(nèi)部采用“Category 1”冶金連接。

　　工作峰值電壓(VWM)范圍為 5.0 V 至 51.6 V。

　　峰值脈沖功率(PPP)為 500 W。

　　雙層鈍化保護。

　　符合 MIL-PRF-19500/551 的 JAN、JANTX 和 JANTXV 等級。

　　電氣特性：

　　8/20 μs 波形下的峰值脈沖電流(IPP)范圍為 6 A 至 315 A。

　　10/1000 μs 波形下的鉗制電壓(VC)范圍為 9.0 V 至 78.5 V。

　　反向漏電流(ID)小于 3000 μA。

　　封裝形式：

　　提供軸向引腳封裝和表面貼裝 MELF 封裝。

　　封裝材料為硬玻璃，具有良好的密封性和耐久性。

　　環(huán)境適應(yīng)性：

　　工作溫度范圍為 -55°C 至 +175°C。

　　符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)(僅商業(yè)級)。

　　應(yīng)用場景

　　軍事和高可靠性應(yīng)用：適用于對可靠性要求極高的場景。

　　ESD 和 EFT 保護：符合 IEC61000-4-2 和 IEC61000-4-4 標(biāo)準(zhǔn)。

　　防雷保護：能夠抵御雷電引起的二次效應(yīng)。

　　工業(yè)應(yīng)用：如傳感器信號線、MOSFET 保護等。

Microsemi 是美國高可靠性電子元器件廠商，其軍級二三級管產(chǎn)品，被廣泛應(yīng)用于全球高端市場，深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司，授權(quán)代理銷售Microsemi軍級二三級產(chǎn)品，大量原裝現(xiàn)貨，歡迎咨詢。

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